Characterization of defect states in Ga rich gallium arsenide crystals by thermally stimulated current

Iranian Journal of Science and Technology, Transactions A: Science

Bibliyografik Bilgiler

DOI

10.1007/s40995-016-0139-z

ISSN 1028-6276

Dergi Iranian Journal of Science and Technology, Transactions A: Science

Yayın Tarihi 2016

Makale Türü Özgün Makale

Erişim Türü Elektronik

Yazarlar

YILDIRIM TACETTİN HASANLİ NİZAMİ TÜZEMEN SEBAHATTİN

Toplam 3 yazar

Anahtar Kelimeler

Yarıiletkenler Kusurlar Elektriksel Özellikler

Alan Bilgisi

Fen Bilimleri ve Matematik Temel Alanı->Fizik

Makaleye Eriş

Tam Metne Eriş

PlumX Metrikleri

Yayın Özeti

İndeks SCI-Expanded

Kapsam Uluslararası

Hakem Türü Hakemli

Yayın Dili İngilizce

Yazar Sayısı 3

TEŞV Puanı 12

Akademisyen

PROF. DR. TACETTİN YILDIRIM

FEN EDEBİYAT FAKÜLTESİ

Profile Git

Atıf Formatı

YILDIRIM TACETTİN,HASANLİ NİZAMİ,TÜZEMEN SEBAHATTİN (2016). Characterization of defect states in Ga rich gallium arsenide crystals by thermally stimulated current. Iranian Journal of Science and Technology, Transactions A: Science. https://doi.org/10.1007/s40995-016-0139-z

Nevşehir Hacı Bektaş Veli Üniversitesi — Akademik Veri Sistemi Profil Sayfasına Dön