Makale
2013
SCI
1 Atıf
Trapping Center Parameters in N Implanted Tl2Ga2S3Se Single Crystals by Thermally Stimulated Currents Measurements
Acta Physica Polonica A
Bibliyografik Bilgiler
ISSN
0587-4246
Dergi
Acta Physica Polonica A
Yayın Tarihi
4/2013
Cilt / Sayı
Cilt 123 · Sayı 4
Sayfalar
766 – 769
Makale Türü
Özgün Makale
Atıf Sayısı
1
Erişim Türü
Elektronik
Yazarlar
YILDIRIM TACETTİN
N M GASANLY
Toplam 2 yazar
Alan Bilgisi
Fen Bilimleri ve Matematik Temel Alanı->Fizik
Makaleye Eriş
Yayın Özeti
İndeks
SCI
Kapsam
Uluslararası
Hakem Türü
Hakemli
Yayın Dili
İngilizce
Yazar Sayısı
2
Atıf Formatı
YILDIRIM TACETTİN,N M GASANLY (2013). Trapping Center Parameters in N Implanted Tl2Ga2S3Se Single Crystals by Thermally Stimulated Currents Measurements. Acta Physica Polonica A, 123(4), 766-769. https://doi.org/10.12693/APhysPolA.123.766
Nevşehir Hacı Bektaş Veli Üniversitesi — Akademik Veri Sistemi
Profil Sayfasına Dön