Metal-free (p+) diamond/(n)4H-SiC epitaxial Heterojunction Diodes for Radiovoltaic Applications

IEEE Electron Device Letters

Bibliyografik Bilgiler

DOI

10.1109/LED.2025.3640092

ISSN 0741-3106

Dergi IEEE Electron Device Letters

Yayın Tarihi 12/2025

Sayfalar 1 – 4

Sponsor South Carolina Center of Resilience Excellence (SCCORE), National Science Foundation (NSF), Division of Electrical, Communications and Cyber Systems (ECCS) & Division of Materials Research (DMR)

Makale Türü Özgün Makale

Erişim Türü Elektronik

Yazarlar

Mandal Krishna C ÖNER CİHAN Chaudhuri Sandeep K. Nag Ritwig

Toplam 4 yazar

Alan Bilgisi

Mühendislik Temel Alanı>Elektrik-Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği>Yarı İletkenler

WOS Veritabanı Detayları

Cilt / Sayı Vol. 47 No. 2

Sayfa Sayısı 4 sayfa

Atıf Verileri

0 (WOK)

Tanımlayıcılar

Bağlantılar

SCOPUS Veritabanı Detayları

Makaleye Eriş

Tam Metne Eriş

PlumX Metrikleri

Yayın Özeti

İndeks SCI-Expanded

Kapsam Uluslararası

Hakem Türü Hakemli

Yayın Dili İngilizce

Yazar Sayısı 4

TEŞV Puanı 6.48

Akademisyen

DEKAN YARDIMCISI CİHAN ÖNER

MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ

Profile Git

Atıf Formatı

Mandal Krishna C,ÖNER CİHAN,Chaudhuri Sandeep K.,Nag Ritwig (2025). Metal-free (p+) diamond/(n)4H-SiC epitaxial Heterojunction Diodes for Radiovoltaic Applications. IEEE Electron Device Letters, 1-4. https://doi.org/10.1109/LED.2025.3640092

Nevşehir Hacı Bektaş Veli Üniversitesi — Akademik Veri Sistemi Profil Sayfasına Dön