Investigating 4H-SiC epilayer thickness variation in high-resolution Ni/Y₂O₃/4H-SiC MOS detectors

Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Bibliyografik Bilgiler

DOI

10.1007/s10854-025-16272-y

ISSN 0957-4522

Dergi Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Yayın Tarihi 11/2025

Cilt / Sayı Cilt 36

Sayfalar 1 – 14

Sponsor Carolinas Consortium, Center for Resilience Excellence South Carolina (CORE SC), National Science Foundation (NSF) Division of Electrical, Communications and Cyber Systems (ECCS) & Division of Materials Research (DMR)

Makale Türü Özgün Makale

Erişim Türü Basılı+Elektronik

Yazarlar

Nag Ritwig ÖNER CİHAN Chaudhuri Sandeep K. Mandal Krishna C

Toplam 4 yazar

Alan Bilgisi

Mühendislik Temel Alanı>Elektrik-Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği>Yarı İletkenler

SCOPUS Veritabanı Detayları

WOS Veritabanı Detayları

Cilt / Sayı Vol. 36 No. 34

Sayfa Sayısı 14 sayfa

Atıf Verileri

0 (WOK)

Tanımlayıcılar

Bağlantılar

Makaleye Eriş

Tam Metne Eriş

PlumX Metrikleri

Yayın Özeti

İndeks SCI-Expanded

Kapsam Uluslararası

Hakem Türü Hakemli

Yayın Dili İngilizce

Yazar Sayısı 4

TEŞV Puanı 6.48

Akademisyen

DEKAN YARDIMCISI CİHAN ÖNER

MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ

Profile Git

Atıf Formatı

Nag Ritwig,ÖNER CİHAN,Chaudhuri Sandeep K.,Mandal Krishna C (2025). Investigating 4H-SiC epilayer thickness variation in high-resolution Ni/Y₂O₃/4H-SiC MOS detectors. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 36, 1-14. https://doi.org/10.1007/s10854-025-16272-y

Nevşehir Hacı Bektaş Veli Üniversitesi — Akademik Veri Sistemi Profil Sayfasına Dön