Deep Levels in n-Type 4H-Silicon Carbide Epitaxial Layers Investigated by Deep-Level Transient Spectroscopy and Isochronal Annealing Studies

IEEE Transactions on Nuclear Science

Bibliyografik Bilgiler

DOI

10.1109/TNS.2016.2535212

ISSN 0018-9499

Dergi IEEE Transactions on Nuclear Science

Yayın Tarihi 4/2016

Cilt / Sayı Cilt 63 · Sayı 2

Sayfalar 1083 – 1090

Sponsor DOE Office of Nuclear Energy’s Nuclear Energy University Programs, Advanced Support for Innovative Research Excellence-I (ASPIRE-I)

Makale Türü Özgün Makale

Erişim Türü Basılı+Elektronik

Yazarlar

Mannan Mohammad A Nguyen Khai V Pak Rahmi O ÖNER CİHAN Mandal Krishna C

Toplam 5 yazar

Alan Bilgisi

Mühendislik Temel Alanı>Elektrik-Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği>Yarı İletkenler

WOS Veritabanı Detayları

Cilt / Sayı Vol. 63 No. 2

Sayfa Sayısı 8 sayfa

Atıf Verileri

32 (WOK)

Tanımlayıcılar

Bağlantılar

SCOPUS Veritabanı Detayları

Makaleye Eriş

Tam Metne Eriş

PlumX Metrikleri

Yayın Özeti

İndeks SCI-Expanded

Kapsam Uluslararası

Hakem Türü Hakemli

Yayın Dili İngilizce

Yazar Sayısı 5

Akademisyen

DEKAN YARDIMCISI CİHAN ÖNER

MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ

Profile Git

Atıf Formatı

Mannan Mohammad A,Nguyen Khai V,Pak Rahmi O,ÖNER CİHAN,Mandal Krishna C (2016). Deep Levels in n-Type 4H-Silicon Carbide Epitaxial Layers Investigated by Deep-Level Transient Spectroscopy and Isochronal Annealing Studies. IEEE Transactions on Nuclear Science, 63(2), 1083-1090. https://doi.org/10.1109/TNS.2016.2535212

Nevşehir Hacı Bektaş Veli Üniversitesi — Akademik Veri Sistemi Profil Sayfasına Dön